−− 1.GIGABYTE GA-7DXR+　DDRメモリ電源　2002/02/14 1.GIGABYTE GA-7DXR+のDDRメモリ電圧設定 　GA-7DXRがDipSWによる電圧設定に対し、GA-7DXR+ではBIOSからDDRメモリ電源電圧設定する事が出来ます。但し、設定範囲はGA-7DXR同様のノーマル電圧と過電圧設定2種類です。でも、GA-7DXRが2.5V/2.6V/2.7Vの設定に対し、GA-7DXR+では2.5V/2.73V/2.83Vと若干ですが、最大電圧も上がっています。^^;　（+が付いた分、電圧も+ですかあ） 　さて、ここでは2.83Vでは意味がない！そんな方々の為にDDRメモリ電圧を任意に可変出来る様にする改造情報を公開します。可変電源化により、DDRメモリ電源を任意の電圧に自在に調整する事が可能となります。最大電圧は確認していませんが、レギュレーターの一次側は5Vが供給されていますので、過電流の問題が無ければ4Vオーバー可能と思います。でも、定格2.5Vのメモリに4V供給するのって、結構度胸が必要ですよね。^^; 2.GIGABYTE GA-7DXR+を改造する　2002/02/14 1. 電圧の可変方法 　外観を見る限り基本構成はGA-7DXRと同じですね。但し、BIOSから制御する為、フィードバック抵抗をFETにて切り替える回路が追加されているようです。いずれにしろ、フィードバック抵抗をボリウムに付け替えるだけで可変電源が完成する事になります。いつでもノーマル電圧に戻せるようにノーマル電圧用のフィードバック抵抗はそのままとし、過電圧設定の抵抗を交換する方法とします。 3.GIGABYTE GA-7DXR+　DDRメモリ電源の電圧可変　2002/02/14 1. ボリウムを接続する 　DA-7DXRと同じ抵抗番号、R1011（100kオーム）、R1010（59kオーム）をFETにて切り替えている事が調査の結果判明しました。また、この抵抗の値を小さくする程、電圧が上がる事も判明しました。後は、単純にこの抵抗をボリウムに交換する事で電圧を任意に変更する事が可能となります。 DDRメモリ電源です。 　Q57右側のFETにてフィードバック抵抗を切り替えています。 　過電圧設定用のフィードバック抵抗はFET上のR1010/R1011です。 R1010を除去してボリウムを接続します。 　R1010/R1011のどちらでも構いませんが、配線の都合でR1010とします。 ボリウムには多回転型の100kオームを使用しました。 　ボリウムは近くのコンデンサに瞬間接着剤で固定しました。実際には側面をコンデンサに、補強として配線の熱収縮チューブをQ140素子上に固定しています。 完成です 　今回、電圧チェック用のピンを立てる事は止めました。ケース内の配置上、ピンを立ててもアクセスが悪い為です。電圧チェックはDIMMメモリのコンデンサを直接テスターで測定する荒技で行っています。^^; 　以上で改造完了です。メモリ電圧の変更はOCには効果的な事が多いので結構役に立ちます。但し、くれぐれも過電圧によるメモリ破壊には注意して下さいね。^^; 注意事項としては、改造前に予めボリウムを回して最大値の状態にしておく事ですね。この作業を怠ると、電源ONと同時に高電圧がDDRメモリに印可されて、いきなりお亡くなりになるかも知れませんので、十分注意して下さいね。