1.GIGABYTE GA-7DXR DDRメモリ電源 2001/08/13

1.GIGABYTE GA-7DXRのDDRメモリ電圧設定
 このマザーはDipSWによりDDRメモリ電源電圧を標準の2.5Vから2.6V/2.7Vと最大で標準より0.2V上げる事が可能です。しかし、2.7Vが上限では満足できない人も多いと思います。^^;
 さて、ここでは安全圏での電圧アップでは満足できない^^;。そんな方々の為にDDRメモリ電圧を任意に可変出来る様にする改造情報を公開します。可変電源化により、DDRメモリ電源を任意の電圧に自在に調整する事が可能となります。



2.GIGABYTE GA-7DXRを改造する 2001/08/13

1. 電圧の可変方法
 DipSWが付いているので改造は簡単です。何故ならDipSWで電圧が変更できると言う事は、フィードバック回路の抵抗を切り替えている事だからです。つまり、フィードバック抵抗を探す手間がいらないのです。DipSWで切り替えている抵抗を探し出し、ボリウムに変えれば良い訳です。DipSWの無いマザーでは電圧制御素子のデータシートよりフィードバック回路を探し出す必要がありますが、今回の様にDipSW付きマザーは簡単で助かりますね。^^;



3.GIGABYTE GA-7DXR DDRメモリ電源の電圧可変 2001/08/13

1. ボリウムを接続する
 DipSWのSW1をONした場合にはR1011(100kオーム)が、SW2をONした場合にはR1010(59kオーム)が接続させる事が調査の結果判明しました。つまり、この抵抗の抵抗値を小さくする程、電圧が上がる事になりますので、単純にこの抵抗をボリウムに交換する事で電圧を任意に変更する事が可能となります。


1)R1010を除去してボリウムを接続します。

 ボリウムには多回転型の100kオームを使用しました。
 R1010はDipSWとコンデンサの間にありますので、DipSWを一旦取り外して作業しないと、抵抗を除去する事が難しいと思います。
私はSW2側のR1010をボリウムに交換しましたが、SW1側のR1011でも構いません。

 ボリウム配線が完了した所でDipSWを戻します。
DipSWをOFFにすると2.5V標準、SW2をONするとボリウムにて任意可変が可能となります。

 ボリウムはPS2コネクタ部に固定しました。
テストピンは電圧確認用です。DipSW近くのFET、QC237のDIMMソケット側の足が測定ポイントです。

 以上で改造完了です。メモリ電圧の変更はOCには効果的な事が多いので結構役に立ちます。但し、くれぐれも過電圧によるメモリ破壊には注意して下さいね。^^;
注意事項としては、改造前に予めボリウムを回して最大値の状態にしておく事ですね。この作業を怠ると、電源ONと同時に高電圧がDDRメモリに印可されて、いきなりお亡くなりになるかも知れませんので、十分注意して下さいね。

 この改造は難易度が非常に高いです。半田付けに自信が無い方は止めた方が無難でしょう。